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IXTY1R6N100D2 IXTA1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
10,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
f = 1 MHz
4
V DS = 500V
1,000
Ciss
3
2
I D = 0.8A
I G = 1mA
1
100
10
1
Coss
Crss
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
10
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
100μs
10
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
25μs
1
1
100μs
1ms
1ms
10ms
0.1
T J = 150oC
DC
100ms
0.1
T J = 150oC
DC
10ms
100ms
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
10.00
T C = 25oC
Single Pulse
0.01
T C = 75oC
Single Pulse
10
100
1,000
10
100
1,000
2.00
1.00
0.10
0.01
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
hvjv
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_1R6N100D2(2C)8-24-09
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IXTY24N15T 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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